Jednoduchý faktor kvality pro charakterizaci tenkých vrstev křemíku]

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00320321" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00320321 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/08:00341936

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A simple quality factor for characterization of thin silicon films

Popis výsledku v původním jazyce

Silicon thin films were grown by plasma enhanced chemical vapor deposition at high-pressure (700 Pa), high-power (4? W/cm2) depletion regime using multi-hole cathode. Series of samples were deposited by varying hydrogen/silane ratio or plasma power to study evolution of film structure and transport properties near a-Si:H/?c-Si:H transition. We suggest a simple "?c-Si:H layer quality factor" based on the ratio of subgap optical absorption ? (1.4 eV)/? (1 eV) measured by constant photocurrent method. Thisratio correlates well with the values of ambipolar diffusion lengths measured by surface photovoltage method perpendicularly to the substrate, i.e., in the direction of the collection of the photogenerated carriers in solar cells.

Název v anglickém jazyce

A simple quality factor for characterization of thin silicon films

Popis výsledku anglicky

Silicon thin films were grown by plasma enhanced chemical vapor deposition at high-pressure (700 Pa), high-power (4? W/cm2) depletion regime using multi-hole cathode. Series of samples were deposited by varying hydrogen/silane ratio or plasma power to study evolution of film structure and transport properties near a-Si:H/?c-Si:H transition. We suggest a simple "?c-Si:H layer quality factor" based on the ratio of subgap optical absorption ? (1.4 eV)/? (1 eV) measured by constant photocurrent method. Thisratio correlates well with the values of ambipolar diffusion lengths measured by surface photovoltage method perpendicularly to the substrate, i.e., in the direction of the collection of the photogenerated carriers in solar cells.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Non-Crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Svazek periodika

354

Číslo periodika v rámci svazku

19-25

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000256500400036

EID výsledku v databázi Scopus

—