Nanostruktura organických a chalcogenidových resistů připravených metodou "direct DUV laser beam writing"

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F04%3A00001370" target="_blank" >RIV/00216275:25310/04:00001370 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nanostructuring of organic and chalcogenide resists by direct DUV laser beam writing
Popis výsledku v původním jazyce
A direct writing DUV laser lithography system was used to write surface relief gratings into an organic positive DUV resist and into amorphous chalcogenide layers. For both material groups feature sizes down to 160 nm with aspect ratios of two and more were realised. The nanostructures in chalcogenide layers emerge directly during the writing process, without any development or etching process.
Název v anglickém jazyce
Nanostructuring of organic and chalcogenide resists by direct DUV laser beam writing
Popis výsledku anglicky
A direct writing DUV laser lithography system was used to write surface relief gratings into an organic positive DUV resist and into amorphous chalcogenide layers. For both material groups feature sizes down to 160 nm with aspect ratios of two and more were realised. The nanostructures in chalcogenide layers emerge directly during the writing process, without any development or etching process.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika
Electronics Letters
ISSN
1350-911X
e-ISSN
—
Svazek periodika
40
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
1-2
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—

Podobné výsledky(10)