Příprava dielektrických zrcadel z tenkých vrstev amorfních chalkogenidů s vysokým kontrastem indexů lomu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F08%3A00007548" target="_blank" >RIV/00216275:25310/08:00007548 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of dielectric mirrors from high-refractive index contrast amorphous chalcogenide films

Popis výsledku v původním jazyce

We report the preparation of planar 15-layer dielectric mirrors by a thermal evaporation of alternating high refractive index contrast amorphous chalcogenide Sb?Se and Ge?S layers, exhibiting a highreflection band around 1.55 um. The layer deposition quality and the thickness accuracy of such prepared chalcogenide multilayers were then checked using transmission electron microscopy. The layer thickness deviation of chalcogenide layers did not exceed 7 nm in comparison with the desired thicknesses. The width of Sb?Se/Ge?S layer boundary was approximately 3 nm, which is in good agreement with the surface roughness values of thermally evaporated Sb?Se and Ge?S single layers. The optical properties of the prepared 15-layer dielectric mirrors were consistent in temperature range of 20?120 °C; however, at higher temperatures there started apparent structural changes of Sb?Se films, which were followed by their crystallization. Excellent optical properties of chalcogenide materials in the inf

Název v anglickém jazyce

Preparation of dielectric mirrors from high-refractive index contrast amorphous chalcogenide films

Popis výsledku anglicky

We report the preparation of planar 15-layer dielectric mirrors by a thermal evaporation of alternating high refractive index contrast amorphous chalcogenide Sb?Se and Ge?S layers, exhibiting a highreflection band around 1.55 um. The layer deposition quality and the thickness accuracy of such prepared chalcogenide multilayers were then checked using transmission electron microscopy. The layer thickness deviation of chalcogenide layers did not exceed 7 nm in comparison with the desired thicknesses. The width of Sb?Se/Ge?S layer boundary was approximately 3 nm, which is in good agreement with the surface roughness values of thermally evaporated Sb?Se and Ge?S single layers. The optical properties of the prepared 15-layer dielectric mirrors were consistent in temperature range of 20?120 °C; however, at higher temperatures there started apparent structural changes of Sb?Se films, which were followed by their crystallization. Excellent optical properties of chalcogenide materials in the inf

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics and Chemistry of Solids

ISSN

0022-3697

e-ISSN

—

Svazek periodika

69

Číslo periodika v rámci svazku

N

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—