Srovnávací studium strukturálních změn indukovaných na povrchu tenké amorfní vrstvy As35S65 expozicí svazkem elektronů a fotony
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F08%3A00007924" target="_blank" >RIV/00216275:25310/08:00007924 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Comparative study of electron- and photo-induced structural transformations on the surface of As35S65 amorphous thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Change of electronic structure and chemical composition on the surface of freshly prepared As35S65 thin films caused by electron- and light irradiation have been studied by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy. The mechanisms of the induced transformations are compared. It is shown that light irradiation causes redistribution of chemical bonds without change in chemical composition. The products of such lightinduced structural transformations were also identified by Raman spectroscopy in thevolume of thin films. Electron irradiation changes chemical composition of the surface by creating an As-enriched layer due to the formation of As?O bonds. Anomalous increase of the ~10 eV band associated with non-bonding As 4s electrons was observed after light- and low dose e-beam irradiation.
Název v anglickém jazyce
Comparative study of electron- and photo-induced structural transformations on the surface of As35S65 amorphous thin films
Popis výsledku anglicky
Change of electronic structure and chemical composition on the surface of freshly prepared As35S65 thin films caused by electron- and light irradiation have been studied by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy. The mechanisms of the induced transformations are compared. It is shown that light irradiation causes redistribution of chemical bonds without change in chemical composition. The products of such lightinduced structural transformations were also identified by Raman spectroscopy in thevolume of thin films. Electron irradiation changes chemical composition of the surface by creating an As-enriched layer due to the formation of As?O bonds. Anomalous increase of the ~10 eV band associated with non-bonding As 4s electrons was observed after light- and low dose e-beam irradiation.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
516
Číslo periodika v rámci svazku
21
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—