Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Srovnávací studium strukturálních změn indukovaných na povrchu tenké amorfní vrstvy As35S65 expozicí svazkem elektronů a fotony

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F08%3A00007924" target="_blank" >RIV/00216275:25310/08:00007924 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Comparative study of electron- and photo-induced structural transformations on the surface of As35S65 amorphous thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Change of electronic structure and chemical composition on the surface of freshly prepared As35S65 thin films caused by electron- and light irradiation have been studied by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy. The mechanisms of the induced transformations are compared. It is shown that light irradiation causes redistribution of chemical bonds without change in chemical composition. The products of such lightinduced structural transformations were also identified by Raman spectroscopy in thevolume of thin films. Electron irradiation changes chemical composition of the surface by creating an As-enriched layer due to the formation of As?O bonds. Anomalous increase of the ~10 eV band associated with non-bonding As 4s electrons was observed after light- and low dose e-beam irradiation.

  • Název v anglickém jazyce

    Comparative study of electron- and photo-induced structural transformations on the surface of As35S65 amorphous thin films

  • Popis výsledku anglicky

    Change of electronic structure and chemical composition on the surface of freshly prepared As35S65 thin films caused by electron- and light irradiation have been studied by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy. The mechanisms of the induced transformations are compared. It is shown that light irradiation causes redistribution of chemical bonds without change in chemical composition. The products of such lightinduced structural transformations were also identified by Raman spectroscopy in thevolume of thin films. Electron irradiation changes chemical composition of the surface by creating an As-enriched layer due to the formation of As?O bonds. Anomalous increase of the ~10 eV band associated with non-bonding As 4s electrons was observed after light- and low dose e-beam irradiation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Thin Solid Films

  • ISSN

    0040-6090

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    516

  • Číslo periodika v rámci svazku

    21

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus