Figure of Merit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) Single Crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F10%3A39881645" target="_blank" >RIV/00216275:25310/10:39881645 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Figure of Merit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) Single Crystals
Popis výsledku v původním jazyce
We have shown previously that indium doping is beneficial for thermoelectric properties of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(3). This effect was ascribed to a change in the magnitude and mechanism of hole scattering and a decrease in thermal conductivity. Since the state-of-the-art material for p-type legs in low-temperature applications is the quaternary Bi(0.5)Sb(1.5)Te(3-y)Se(y), we have attempted to dope this material with In, hoping to improve its properties further. Indeed, the doping enhances the figure ofmerit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) by more than 15% compared with the values measured on undoped Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(2.8)Se(0.2) below room temperature.
Název v anglickém jazyce
Figure of Merit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) Single Crystals
Popis výsledku anglicky
We have shown previously that indium doping is beneficial for thermoelectric properties of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(3). This effect was ascribed to a change in the magnitude and mechanism of hole scattering and a decrease in thermal conductivity. Since the state-of-the-art material for p-type legs in low-temperature applications is the quaternary Bi(0.5)Sb(1.5)Te(3-y)Se(y), we have attempted to dope this material with In, hoping to improve its properties further. Indeed, the doping enhances the figure ofmerit of (Sb(0.75)Bi(0.25))(2-x)In(x)Te(2.8)Se(0.2) by more than 15% compared with the values measured on undoped Sb(0.75)Bi(0.25))(2)Te(2.8)Se(0.2) below room temperature.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electronic Materials
ISSN
0361-5235
e-ISSN
—
Svazek periodika
39
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000281393000072
EID výsledku v databázi Scopus
—