Doping and Defect Structure of Tetradymite-Type Crystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F10%3A39881716" target="_blank" >RIV/00216275:25310/10:39881716 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Doping and Defect Structure of Tetradymite-Type Crystals

Popis výsledku v původním jazyce

Nonstoichiometry of tetradymite-type crystals A(2)(V)B(3)(VI) that are grown from stoichiometric melts leads to the formation of native defects in the crystal lattice (predominantly antisite defects, A(B)(-1) and vacancies V(B)(+2) in the anion sublattice). This paper summarizes the basic ideas concerning a point defect model in A(2)(V)B(3)(VI) crystals. It turns out that a variety of doping elements interact with the native defects. Such interactions alter the concentration of free charge carriers, affect the doping efficiency, and modify the transport properties. Detailed understanding of the defect structure in tetradymite-type crystals is very important as it impacts on the efficiency of these materials when used as active elements in thermoelectric coolers.

Název v anglickém jazyce

Doping and Defect Structure of Tetradymite-Type Crystals

Popis výsledku anglicky

Nonstoichiometry of tetradymite-type crystals A(2)(V)B(3)(VI) that are grown from stoichiometric melts leads to the formation of native defects in the crystal lattice (predominantly antisite defects, A(B)(-1) and vacancies V(B)(+2) in the anion sublattice). This paper summarizes the basic ideas concerning a point defect model in A(2)(V)B(3)(VI) crystals. It turns out that a variety of doping elements interact with the native defects. Such interactions alter the concentration of free charge carriers, affect the doping efficiency, and modify the transport properties. Detailed understanding of the defect structure in tetradymite-type crystals is very important as it impacts on the efficiency of these materials when used as active elements in thermoelectric coolers.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electronic Materials

ISSN

0361-5235

e-ISSN

—

Svazek periodika

39

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000281393000144

EID výsledku v databázi Scopus

—