Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Optically-Induced diffusion and dissolution of Ag into thin films of (GeS2)0,8(Ga2S3)0,2

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F11%3A39894495" target="_blank" >RIV/00216275:25310/11:39894495 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/61389013:_____/11:00370887

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Optically-Induced diffusion and dissolution of Ag into thin films of (GeS2)0,8(Ga2S3)0,2

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Chalcogenide glasses containing Ag are seen as promising alternative materials for many applications, such as optical elements, memories, bio- and chemical-sensors, solid electrolytes and batteries. Thin films were prepared from bulk sample with composition (GeS(2))(0,8)(Ga(2)S(3))(0,2), which was obtained by direct synthesis from pure elements. Two methods were used for thin films preparation - thermal evaporation with two different boxes and pulsed laser deposition (PLD). Thin films were characterizedby XRD, EDX, UV/VIS spectroscopy and VASE. Thin films prepared by PLD were suitable thanks to good agreement of composition with bulk sample and good optical homogeneity for photoinduced diffusion and dissolution (OIDD) of silver. After OIDD process thethin films containing Ag were characterized by XRD, EDX, UV/VIS spectroscopy and VASE

  • Název v anglickém jazyce

    Optically-Induced diffusion and dissolution of Ag into thin films of (GeS2)0,8(Ga2S3)0,2

  • Popis výsledku anglicky

    Chalcogenide glasses containing Ag are seen as promising alternative materials for many applications, such as optical elements, memories, bio- and chemical-sensors, solid electrolytes and batteries. Thin films were prepared from bulk sample with composition (GeS(2))(0,8)(Ga(2)S(3))(0,2), which was obtained by direct synthesis from pure elements. Two methods were used for thin films preparation - thermal evaporation with two different boxes and pulsed laser deposition (PLD). Thin films were characterizedby XRD, EDX, UV/VIS spectroscopy and VASE. Thin films prepared by PLD were suitable thanks to good agreement of composition with bulk sample and good optical homogeneity for photoinduced diffusion and dissolution (OIDD) of silver. After OIDD process thethin films containing Ag were characterized by XRD, EDX, UV/VIS spectroscopy and VASE

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

  • ISSN

    1454-4164

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    13

  • Číslo periodika v rámci svazku

    11

  • Stát vydavatele periodika

    RO - Rumunsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1553-1558

  • Kód UT WoS článku

    000298834200038

  • EID výsledku v databázi Scopus