Preparation and transport properties of Bi2O2Se single crystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F12%3A39895368" target="_blank" >RIV/00216275:25310/12:39895368 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2143-1" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2143-1</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2143-1" target="_blank" >10.1007/s11664-012-2143-1</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation and transport properties of Bi2O2Se single crystals

Popis výsledku v původním jazyce

Bi2O2Se single crystals were grown by a gas-phase transport reaction with a temperature gradient. X-ray diffraction revealed that the products crystallized in a tetragonal-type lattice with lattice parameters a = 0.38866 nm and c = 1.22001 nm. The samples were characterized by measuring the electrical conductivity, Hall coefficient, and Seebeck coefficient as functions of temperature between 80 K and 470 K. The obtained experimental data allowed us to calculate the reduced Fermi level, provided that thesingle-valley parabolic model applied. The corresponding value of the electron effective mass proved to be m(ef) approximatelly 0.29. Free electron mobility is governed by the scattering of carriers by acoustic phonons.

Název v anglickém jazyce

Preparation and transport properties of Bi2O2Se single crystals

Popis výsledku anglicky

Bi2O2Se single crystals were grown by a gas-phase transport reaction with a temperature gradient. X-ray diffraction revealed that the products crystallized in a tetragonal-type lattice with lattice parameters a = 0.38866 nm and c = 1.22001 nm. The samples were characterized by measuring the electrical conductivity, Hall coefficient, and Seebeck coefficient as functions of temperature between 80 K and 470 K. The obtained experimental data allowed us to calculate the reduced Fermi level, provided that thesingle-valley parabolic model applied. The corresponding value of the electron effective mass proved to be m(ef) approximatelly 0.29. Free electron mobility is governed by the scattering of carriers by acoustic phonons.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electronic Materials

ISSN

0361-5235

e-ISSN

—

Svazek periodika

41

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

2317-2321

Kód UT WoS článku

000307289400003

EID výsledku v databázi Scopus

—