Optical properties of silver doped thin films of the system Ge-Ga-S

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F12%3A39896006" target="_blank" >RIV/00216275:25310/12:39896006 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical properties of silver doped thin films of the system Ge-Ga-S

Popis výsledku v původním jazyce

Programmable Metallization Cell (PMC) is a new promissing type of memory which has been recently discovered. The composition Ge(28-x)Ga(x)S72 with x=0 and 6 was chosen from system Ge-Ga-S for its interestin physico-chemical properties. The thin films were prepared by PLD method. The substitution of Ge by Ga leads into the increase of the refractive index and the red shift of short wavelengthcut-off edge. Adding the silver leads to another increas of the refractive index.

Název v anglickém jazyce

Optical properties of silver doped thin films of the system Ge-Ga-S

Popis výsledku anglicky

Programmable Metallization Cell (PMC) is a new promissing type of memory which has been recently discovered. The composition Ge(28-x)Ga(x)S72 with x=0 and 6 was chosen from system Ge-Ga-S for its interestin physico-chemical properties. The thin films were prepared by PLD method. The substitution of Ge by Ga leads into the increase of the refractive index and the red shift of short wavelengthcut-off edge. Adding the silver leads to another increas of the refractive index.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/EE2.3.20.0254" target="_blank" >EE2.3.20.0254: Výzkumný tým pro pokročilé nekrystalické materiály</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů