Physico-chemical properties of the thin films of the SbxSe100-x system (x = 90,85,80)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F14%3A39898385" target="_blank" >RIV/00216275:25310/14:39898385 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.056" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.056</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.056" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2014.07.056</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Physico-chemical properties of the thin films of the SbxSe100-x system (x = 90,85,80)
Popis výsledku v původním jazyce
The bulk samples of SbxSe100 ? x system (x = 90, 85, 80) and their amorphous thin films were prepared by flash evaporation method. The films possess good thermal stability and high values of the activation energy of crystallization (2.55-2.97 eV). The crystalline phase possesses much lower electrical resistivity than the amorphous one (deltaRs ? 103); the temperature of crystallization Tc is from the region of 150-161 °C and increse with increasing Se content.
Název v anglickém jazyce
Physico-chemical properties of the thin films of the SbxSe100-x system (x = 90,85,80)
Popis výsledku anglicky
The bulk samples of SbxSe100 ? x system (x = 90, 85, 80) and their amorphous thin films were prepared by flash evaporation method. The films possess good thermal stability and high values of the activation energy of crystallization (2.55-2.97 eV). The crystalline phase possesses much lower electrical resistivity than the amorphous one (deltaRs ? 103); the temperature of crystallization Tc is from the region of 150-161 °C and increse with increasing Se content.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EE2.3.20.0254" target="_blank" >EE2.3.20.0254: Výzkumný tým pro pokročilé nekrystalické materiály</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
569
Číslo periodika v rámci svazku
October
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
17-21
Kód UT WoS článku
000344749400004
EID výsledku v databázi Scopus
—