Light and electron beam induced surface patterning in Ge-Se system

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F16%3A39901474" target="_blank" >RIV/00216275:25310/16:39901474 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Light and electron beam induced surface patterning in Ge-Se system

Popis výsledku v původním jazyce

Homogeneous Gex-Se1-x thin layers have been prepared by thermal evaporation and pulsed laser deposition technique. Geometrical structures were formed on the surface of the chalcogenide samples by electron beam and photon irradiation methods. The morphology of the created reliefs was investigated by atomic force microscopy. The different aspects of the mechanism of surface relief recording were studied, together with the dependence of the surface relief profile heights on the chalcogen concentration. In addition, the compositions and recording parameters giving the best results were determined.

Název v anglickém jazyce

Light and electron beam induced surface patterning in Ge-Se system

Popis výsledku anglicky

Homogeneous Gex-Se1-x thin layers have been prepared by thermal evaporation and pulsed laser deposition technique. Geometrical structures were formed on the surface of the chalcogenide samples by electron beam and photon irradiation methods. The morphology of the created reliefs was investigated by atomic force microscopy. The different aspects of the mechanism of surface relief recording were studied, together with the dependence of the surface relief profile heights on the chalcogen concentration. In addition, the compositions and recording parameters giving the best results were determined.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA15-02634S" target="_blank" >GA15-02634S: Amorfní chalkogenidové tenké vrstvy: fotoindukované jevy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Svazek periodika

18

Číslo periodika v rámci svazku

9-10

Stát vydavatele periodika

RO - Rumunsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

793-797

Kód UT WoS článku

000389728900009

EID výsledku v databázi Scopus

—