Electrochemical metallization cells based on Ag-Ge-S and Ag-Ge-Ga-S electrolytes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F16%3A39901782" target="_blank" >RIV/00216275:25310/16:39901782 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://web.b.ebscohost.com/ehost/detail/detail?vid=0&sid=937a705b-edc0-49b6-a8d5-7d89e25ec687%40sessionmgr1&bdata=Jmxhbmc9Y3Mmc2l0ZT1laG9zdC1saXZl#AN=115005027&db=a9h" target="_blank" >http://web.b.ebscohost.com/ehost/detail/detail?vid=0&sid=937a705b-edc0-49b6-a8d5-7d89e25ec687%40sessionmgr1&bdata=Jmxhbmc9Y3Mmc2l0ZT1laG9zdC1saXZl#AN=115005027&db=a9h</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electrochemical metallization cells based on Ag-Ge-S and Ag-Ge-Ga-S electrolytes

Popis výsledku v původním jazyce

Electrochemical metallization cells (EMC) are based on the electrochemical growth and removal of nanoscale metallic filaments in thin films of solid elektrolyte. EMC shows a great promise to replace conventional data storage technologies. It has low programming current and voltage and smaller sizes that can be seen as a way to store more data in small space. In this work ITO/Ag-GeS/Ag and ITO/Ag-GeGaS/Ag memory cells were prepared to study an influence of incorporation of Ga into glassy backbone matrix of Ge-S electrolyte and iťs switching characteristics. The transparency of ITO films was used for application of OIDD process that can be seen as a method to stabilize cells switching.

Název v anglickém jazyce

Electrochemical metallization cells based on Ag-Ge-S and Ag-Ge-Ga-S electrolytes

Popis výsledku anglicky

Electrochemical metallization cells (EMC) are based on the electrochemical growth and removal of nanoscale metallic filaments in thin films of solid elektrolyte. EMC shows a great promise to replace conventional data storage technologies. It has low programming current and voltage and smaller sizes that can be seen as a way to store more data in small space. In this work ITO/Ag-GeS/Ag and ITO/Ag-GeGaS/Ag memory cells were prepared to study an influence of incorporation of Ga into glassy backbone matrix of Ge-S electrolyte and iťs switching characteristics. The transparency of ITO films was used for application of OIDD process that can be seen as a method to stabilize cells switching.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10402 - Inorganic and nuclear chemistry

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Chalcogenide Letters

ISSN

1584-8663

e-ISSN

1584-8663

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

RO - Rumunsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

139-144

Kód UT WoS článku

000377185700001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84963784815