Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Large (GeTe):(Sb2Te3) ratio phase change memory thin films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F18%3A39912753" target="_blank" >RIV/00216275:25310/18:39912753 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2306503" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2306503</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2306503" target="_blank" >10.1117/12.2306503</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Large (GeTe):(Sb2Te3) ratio phase change memory thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Phase change memory thin films from Ge-Sb-Te system with large (GeTe):(Sb2Te3) ratio have been deposited via UV pulsed laser deposition technique. The studied compositions were Ge6Sb2Te9, Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13, and Ge12Sb2Te15. Physico-chemical properties of the Ge-Sb-Te thin films, based on the scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and reflectometry, atomic force microscopy, optical reflectivity, sheet resistance temperature dependences, and variable angle spectroscopic ellipsometry measurements, were studied in order to assess the effect of chemical composition of the deposited layers. All the obtained data confirm the importance of GeTe content in (GeTe)1-x(Sb2Te3)x thin films.

  • Název v anglickém jazyce

    Large (GeTe):(Sb2Te3) ratio phase change memory thin films

  • Popis výsledku anglicky

    Phase change memory thin films from Ge-Sb-Te system with large (GeTe):(Sb2Te3) ratio have been deposited via UV pulsed laser deposition technique. The studied compositions were Ge6Sb2Te9, Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13, and Ge12Sb2Te15. Physico-chemical properties of the Ge-Sb-Te thin films, based on the scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and reflectometry, atomic force microscopy, optical reflectivity, sheet resistance temperature dependences, and variable angle spectroscopic ellipsometry measurements, were studied in order to assess the effect of chemical composition of the deposited layers. All the obtained data confirm the importance of GeTe content in (GeTe)1-x(Sb2Te3)x thin films.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10402 - Inorganic and nuclear chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of SPIE. Vol. 10683

  • ISBN

    978-1-5106-1892-3

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

    neuvedeno

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    "106830A-1"-"106830A-7"

  • Název nakladatele

    SPIE - The International Society for Optical Engineering

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    Štrasburg

  • Datum konání akce

    22. 4. 2018

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000450857500008