Large (GeTe):(Sb2Te3) ratio phase change memory thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F18%3A39912753" target="_blank" >RIV/00216275:25310/18:39912753 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2306503" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2306503</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2306503" target="_blank" >10.1117/12.2306503</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Large (GeTe):(Sb2Te3) ratio phase change memory thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Phase change memory thin films from Ge-Sb-Te system with large (GeTe):(Sb2Te3) ratio have been deposited via UV pulsed laser deposition technique. The studied compositions were Ge6Sb2Te9, Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13, and Ge12Sb2Te15. Physico-chemical properties of the Ge-Sb-Te thin films, based on the scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and reflectometry, atomic force microscopy, optical reflectivity, sheet resistance temperature dependences, and variable angle spectroscopic ellipsometry measurements, were studied in order to assess the effect of chemical composition of the deposited layers. All the obtained data confirm the importance of GeTe content in (GeTe)1-x(Sb2Te3)x thin films.
Název v anglickém jazyce
Large (GeTe):(Sb2Te3) ratio phase change memory thin films
Popis výsledku anglicky
Phase change memory thin films from Ge-Sb-Te system with large (GeTe):(Sb2Te3) ratio have been deposited via UV pulsed laser deposition technique. The studied compositions were Ge6Sb2Te9, Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13, and Ge12Sb2Te15. Physico-chemical properties of the Ge-Sb-Te thin films, based on the scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and reflectometry, atomic force microscopy, optical reflectivity, sheet resistance temperature dependences, and variable angle spectroscopic ellipsometry measurements, were studied in order to assess the effect of chemical composition of the deposited layers. All the obtained data confirm the importance of GeTe content in (GeTe)1-x(Sb2Te3)x thin films.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10402 - Inorganic and nuclear chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of SPIE. Vol. 10683
ISBN
978-1-5106-1892-3
ISSN
0277-786X
e-ISSN
neuvedeno
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
"106830A-1"-"106830A-7"
Název nakladatele
SPIE - The International Society for Optical Engineering
Místo vydání
Bellingham
Místo konání akce
Štrasburg
Datum konání akce
22. 4. 2018
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000450857500008