Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F21%3A39918087" target="_blank" >RIV/00216275:25310/21:39918087 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2021.121003" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2021.121003</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2021.121003" target="_blank" >10.1016/j.jnoncrysol.2021.121003</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Radio-frequency magnetron co-sputtering technique with GeTe and Sb2Te3 targets has been used for the deposition of Ge-Sb-Te amorphous thin films. Fabricated layers cover broad region of chemical composition with slight variation in Te content (50.8-53.6 at. % of Te). Upon annealing-induced crystallization, large variations in electrical contrast up to eight orders of magnitude were found. Phase change from amorphous to crystalline state leads also to drastic changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to |delta n|+|delta k| = 2.96 for GeTe layers at Blu-ray wavelength. Reflectivity contrast at Blu-ray wavelength reaches up to -43% with increasing content of GeTe in Ge-Sb-Te thin films, confirming importance of GeTe content in Ge-Sb-Te thin films.

  • Název v anglickém jazyce

    Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films

  • Popis výsledku anglicky

    Radio-frequency magnetron co-sputtering technique with GeTe and Sb2Te3 targets has been used for the deposition of Ge-Sb-Te amorphous thin films. Fabricated layers cover broad region of chemical composition with slight variation in Te content (50.8-53.6 at. % of Te). Upon annealing-induced crystallization, large variations in electrical contrast up to eight orders of magnitude were found. Phase change from amorphous to crystalline state leads also to drastic changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to |delta n|+|delta k| = 2.96 for GeTe layers at Blu-ray wavelength. Reflectivity contrast at Blu-ray wavelength reaches up to -43% with increasing content of GeTe in Ge-Sb-Te thin films, confirming importance of GeTe content in Ge-Sb-Te thin films.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Non-Crystalline Solids

  • ISSN

    0022-3093

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    569

  • Číslo periodika v rámci svazku

    October

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    121003

  • Kód UT WoS článku

    000679098300003

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85109419580