Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Amorphous Ga-Sb-Se thin films fabricated by co-sputtering

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F20%3A39916691" target="_blank" >RIV/00216275:25310/20:39916691 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-45-1-29" target="_blank" >https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-45-1-29</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1364/OL.45.000029" target="_blank" >10.1364/OL.45.000029</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Amorphous Ga-Sb-Se thin films fabricated by co-sputtering

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work deals with the optical properties and photosensitivity of Ga-Sb-Se thin films deposited by cosputtering, enabling to fabricate amorphous thin films outside the glass-forming region. The optical bandgap range of 1.92-1.35 eV with corresponding refractive indices at 1550 nm ranging from 2.47 to 3.33 can be reliably covered using Ga2Se3 and Sb2Se3 targets. Furthermore, the prolonged irradiation by the near-bandgap light under the pure argon atmosphere leads to the irreversible photo-bleaching effect in fabricated films. The magnitude of this effect decreases monotonically with an increasing antimony content.

  • Název v anglickém jazyce

    Amorphous Ga-Sb-Se thin films fabricated by co-sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    This work deals with the optical properties and photosensitivity of Ga-Sb-Se thin films deposited by cosputtering, enabling to fabricate amorphous thin films outside the glass-forming region. The optical bandgap range of 1.92-1.35 eV with corresponding refractive indices at 1550 nm ranging from 2.47 to 3.33 can be reliably covered using Ga2Se3 and Sb2Se3 targets. Furthermore, the prolonged irradiation by the near-bandgap light under the pure argon atmosphere leads to the irreversible photo-bleaching effect in fabricated films. The magnitude of this effect decreases monotonically with an increasing antimony content.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA19-24516S" target="_blank" >GA19-24516S: Chalkogenidové tenké vrstvy dopované ionty vzácných zemin pro detekci plynů ve střední infračervené oblasti spektra</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Optics Letters

  • ISSN

    0146-9592

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    45

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    29-32

  • Kód UT WoS článku

    000510854100008

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85077498338