Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Organoselenium Precursors for Atomic Layer Deposition

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F21%3A39917653" target="_blank" >RIV/00216275:25310/21:39917653 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26620/21:PU142064

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1021/acsomega.1c00223" target="_blank" >https://doi.org/10.1021/acsomega.1c00223</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsomega.1c00223" target="_blank" >10.1021/acsomega.1c00223</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Organoselenium Precursors for Atomic Layer Deposition

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Organoselenium compounds with perspective application as Se precursors for atomic layer deposition have been reviewed. The originally limited portfolio of available Se precursors such as H2Se and diethyl(di)selenide has recently been extended by bis trialkylsilyl)selenides, bis(trialkylstannyl)selenides, cyclic selenides, and tetrakis(N,N-dimethyldithiocarbamate)-selenium. Their structural aspects, property tuning, fundamental properties, and preparations are discussed. It turned out that symmetric four- and six-membered cyclic silyl selenides possess well-balanced reactivity/stability, facile and cost-effective synthesis starting from inexpensive and readily available chlorosilanes, improved resistance toward air and moisture, easy handling, sufficient volatility, thermal resistance, and complete gas-to-solid phase exchange reaction with MoCl5, affording MoSe2 nanostructures. These properties make them the most promising Se precursor developed for atomic layer deposition so far.

  • Název v anglickém jazyce

    Organoselenium Precursors for Atomic Layer Deposition

  • Popis výsledku anglicky

    Organoselenium compounds with perspective application as Se precursors for atomic layer deposition have been reviewed. The originally limited portfolio of available Se precursors such as H2Se and diethyl(di)selenide has recently been extended by bis trialkylsilyl)selenides, bis(trialkylstannyl)selenides, cyclic selenides, and tetrakis(N,N-dimethyldithiocarbamate)-selenium. Their structural aspects, property tuning, fundamental properties, and preparations are discussed. It turned out that symmetric four- and six-membered cyclic silyl selenides possess well-balanced reactivity/stability, facile and cost-effective synthesis starting from inexpensive and readily available chlorosilanes, improved resistance toward air and moisture, easy handling, sufficient volatility, thermal resistance, and complete gas-to-solid phase exchange reaction with MoCl5, affording MoSe2 nanostructures. These properties make them the most promising Se precursor developed for atomic layer deposition so far.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10401 - Organic chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA18-03881S" target="_blank" >GA18-03881S: Selenidové 2D nanomateriály s unikátními vlastnostmi připravené pomocí depozice atomárních vrstev</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ACS Omega

  • ISSN

    2470-1343

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    6

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    6554-6558

  • Kód UT WoS článku

    000631101200005

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85103489083