Optical properties of as-deposited, annealed and laser-treated Ge2Sb2Te5 thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F22%3A39919077" target="_blank" >RIV/00216275:25310/22:39919077 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://opg.optica.org/ome/fulltext.cfm?uri=ome-12-7-2927&id=477519" target="_blank" >https://opg.optica.org/ome/fulltext.cfm?uri=ome-12-7-2927&id=477519</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OME.462278" target="_blank" >10.1364/OME.462278</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optical properties of as-deposited, annealed and laser-treated Ge2Sb2Te5 thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Knowledge of the correct optical properties of phase change materials (PCM) is important in the development of many devices. Here, we report on the differences in optical properties of as-deposited, annealed, laser-reamorphized and laser-recrystallized Ge2Sb2Te5 thin films. While as-deposited and laser-reamorphized Ge2Sb2Te5 show a similar spectral dependences of refractive indices and extinction coefficients with a small decrease in optical band gap from 0.63 to 0.59 eV, spectral dependences of annealed and laser-recrystallized Ge2Sb2Te5 differ significantly from each other in the entire measured spectral region with values of optical band gap 0.51 and 0.45 eV, respectively. We discuss the main differences in the optical functions between both crystalline phases using X-ray diffraction studies. We further present that the laser-reamorphized phase transforms to the crystalline phase at about 12 degrees C lower temperature in contrast to the as-deposited amorphous phase. (C) 2022 Optica Publishing Group under the terms of the Optica Open Access Publishing Agreement
Název v anglickém jazyce
Optical properties of as-deposited, annealed and laser-treated Ge2Sb2Te5 thin films
Popis výsledku anglicky
Knowledge of the correct optical properties of phase change materials (PCM) is important in the development of many devices. Here, we report on the differences in optical properties of as-deposited, annealed, laser-reamorphized and laser-recrystallized Ge2Sb2Te5 thin films. While as-deposited and laser-reamorphized Ge2Sb2Te5 show a similar spectral dependences of refractive indices and extinction coefficients with a small decrease in optical band gap from 0.63 to 0.59 eV, spectral dependences of annealed and laser-recrystallized Ge2Sb2Te5 differ significantly from each other in the entire measured spectral region with values of optical band gap 0.51 and 0.45 eV, respectively. We discuss the main differences in the optical functions between both crystalline phases using X-ray diffraction studies. We further present that the laser-reamorphized phase transforms to the crystalline phase at about 12 degrees C lower temperature in contrast to the as-deposited amorphous phase. (C) 2022 Optica Publishing Group under the terms of the Optica Open Access Publishing Agreement
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20506 - Coating and films
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LM2018103" target="_blank" >LM2018103: Výzkumná infrastruktura CEMNAT</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Optical Materials Express
ISSN
2159-3930
e-ISSN
2159-3930
Svazek periodika
12
Číslo periodika v rámci svazku
7
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
2927-2937
Kód UT WoS článku
000827158600011
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85135057663