The creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive devices
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F24%3A39921773" target="_blank" >RIV/00216275:25310/24:39921773 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-024-00634-4#citeas" target="_blank" >https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-024-00634-4#citeas</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1557/s43579-024-00634-4" target="_blank" >10.1557/s43579-024-00634-4</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive devices
Popis výsledku v původním jazyce
Memristors are utilized in nonvolatile memory and artificial synaptic devices. However, the industrial application of memristors has been restricted by the occurrence of fatigue, the mechanism of which is still under debate. In this paper, we systematically investigated the mechanism of defect generation created by Joule heating in Cu-doped TiO2 memristive device. The results also demonstrated that the Joule heat for artificial synaptic emulation was less severe than that for digital data storage.
Název v anglickém jazyce
The creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive devices
Popis výsledku anglicky
Memristors are utilized in nonvolatile memory and artificial synaptic devices. However, the industrial application of memristors has been restricted by the occurrence of fatigue, the mechanism of which is still under debate. In this paper, we systematically investigated the mechanism of defect generation created by Joule heating in Cu-doped TiO2 memristive device. The results also demonstrated that the Joule heat for artificial synaptic emulation was less severe than that for digital data storage.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20500 - Materials engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EF17_048%2F0007376" target="_blank" >EF17_048/0007376: Senzory s vysokou citlivostí a materiály s nízkou hustotou na bázi polymerních nanokompozitů-NANOMAT</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
MRS Communications
ISSN
2159-6859
e-ISSN
2159-6867
Svazek periodika
14
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
1313-1318
Kód UT WoS článku
001308074800001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85203268846