Praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 films based on argon plasma co-sputtering for infrared-luminescent integrated photonic circuits
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F24%3A39921962" target="_blank" >RIV/00216275:25310/24:39921962 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.3c14602" target="_blank" >https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.3c14602</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsami.3c14602" target="_blank" >10.1021/acsami.3c14602</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 films based on argon plasma co-sputtering for infrared-luminescent integrated photonic circuits
Popis výsledku v původním jazyce
We report on the infrared luminescence of amorphous praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 waveguides. Amorphous chalcogenide thin films were deposited by radiofrequency magnetron cosputtering using an argon plasma whose deposition parameters were optimized. Waveguides were fabricated using photolithography and plasma-coupled reactive ion etching techniques. The influence of the rare earth concentration within those thin films on their optical properties and rare earth spectroscopic properties was investigated. Using an excitation wavelength of 1.55 μm, the mid-infrared luminescence of Pr3+ ions from 2.5 to 5.5 μm was clearly demonstrated.
Název v anglickém jazyce
Praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 films based on argon plasma co-sputtering for infrared-luminescent integrated photonic circuits
Popis výsledku anglicky
We report on the infrared luminescence of amorphous praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 waveguides. Amorphous chalcogenide thin films were deposited by radiofrequency magnetron cosputtering using an argon plasma whose deposition parameters were optimized. Waveguides were fabricated using photolithography and plasma-coupled reactive ion etching techniques. The influence of the rare earth concentration within those thin films on their optical properties and rare earth spectroscopic properties was investigated. Using an excitation wavelength of 1.55 μm, the mid-infrared luminescence of Pr3+ ions from 2.5 to 5.5 μm was clearly demonstrated.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20506 - Coating and films
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA22-05179S" target="_blank" >GA22-05179S: Infračervená fotonika pro chemické senzory: Materiálová strategie založená na amorfních chalkogenidech</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
ACS Applied Materials & Interfaces
ISSN
1944-8244
e-ISSN
1944-8252
Svazek periodika
16
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
5225-5233
Kód UT WoS článku
001155525000001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85184345418