Analýza povrchů tenkých vrstev metodou SIMS

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F01%3APU22617" target="_blank" >RIV/00216305:26210/01:PU22617 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Analýza povrchů tenkých vrstev metodou SIMS
Popis výsledku v původním jazyce
Hmotnostní spektroskopie sekundárních iontů (SIMS) je založena na bombardování povrchu pevné látky ionty. Dopad iontů s danou energií do povrchové vrstvy způsobuje odprašování částic z tohoto prostoru. Primární ionty jsou implantovány do pevné látky, nebo se odráží od povrchu. Některé uvolněné částice, především atomy, ale i molekuly a shluky atomů (clustery), jsou ionizovány, což umožní jejich identifikaci hmotnostním analyzátorem. Hmotnostní spektrum sekundárních iontů nám poskytuje informaci o prvkovvém složení povrchu.
Název v anglickém jazyce
A SIMS anlysis of solid surfaces
Popis výsledku anglicky
SIMS - Secundary Ion Mass Spectroscopy is a tool for chemical analysis of solid surfaces. Incident ion beam is sputering parcicles from solid surface. Some of that atoms (molecules, clusters) are ionized, so we cas analize them by mass spectromery.

Projekt
<a href="/cs/project/ME%20334" target="_blank" >ME 334: Syntéza epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých energiích</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)