In situ zobrazovací reflektometrie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F07%3APU68568" target="_blank" >RIV/00216305:26210/07:PU68568 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Imaging reflectometery in situ

Popis výsledku v původním jazyce

An innovative method of in situ real-time optical monitoring of thin film deposition and etching is presented. In this technique, intensity maps of a thin film corresponding to a series of wavelengths selected by a monochromator 300 - 800 nm are recordedby a CCD camera. From the maps the reflectance spectra at individual points of the sample surface can be extracted. By fitting the reflectance spectra to the theoretical ones, the maps of a thin film morphology (including optical parameters) and their temporal development during technological processes can be obtained. The method was tested by in situ observation of the growth of silicon nitride and silicon oxide thin films prepared by ion beam sputtering and by the monitoring of etching of thermally grown SiO2 thin films.

Název v anglickém jazyce

Imaging reflectometery in situ

Popis výsledku anglicky

An innovative method of in situ real-time optical monitoring of thin film deposition and etching is presented. In this technique, intensity maps of a thin film corresponding to a series of wavelengths selected by a monochromator 300 - 800 nm are recordedby a CCD camera. From the maps the reflectance spectra at individual points of the sample surface can be extracted. By fitting the reflectance spectra to the theoretical ones, the maps of a thin film morphology (including optical parameters) and their temporal development during technological processes can be obtained. The method was tested by in situ observation of the growth of silicon nitride and silicon oxide thin films prepared by ion beam sputtering and by the monitoring of etching of thermally grown SiO2 thin films.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Optics

ISSN

0003-6935

e-ISSN

—

Svazek periodika

46

Číslo periodika v rámci svazku

25

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

6309-6313

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—