Selektivní růst kobaltových ostrůvků na nukleačních místech vytvořených pomocí fokusovaného iontového svazku ve vrstvě nativního SiO2

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F09%3APU80279" target="_blank" >RIV/00216305:26210/09:PU80279 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Selective growth of Co islands on ion beam induced nucleation centers in a native SiO2 film

Popis výsledku v původním jazyce

We present a straightforward method for fabrication of patterns of metallic nanostructures. The focused ion beam lithography (FIB) has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed. The cobalt islands formed upon deposition at 400 - 430 C combined with an intermediate annealing at 550 C have a uniform size distribution and their size can be controlled by the distance between the nucleation sites and theamount of deposited material. It is proposed that the island formation at patterned sites is due to reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. The intermediate annealing improves the island morphology since the kineticdiffusion limits are lowered and system reconfigures towards its equilibrium state.

Název v anglickém jazyce

Selective growth of Co islands on ion beam induced nucleation centers in a native SiO2 film

Popis výsledku anglicky

We present a straightforward method for fabrication of patterns of metallic nanostructures. The focused ion beam lithography (FIB) has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed. The cobalt islands formed upon deposition at 400 - 430 C combined with an intermediate annealing at 550 C have a uniform size distribution and their size can be controlled by the distance between the nucleation sites and theamount of deposited material. It is proposed that the island formation at patterned sites is due to reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. The intermediate annealing improves the island morphology since the kineticdiffusion limits are lowered and system reconfigures towards its equilibrium state.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Aplied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

105

Číslo periodika v rámci svazku

8

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—