Morfologie vrstev kobalotu na povrchu nativního SiO2 za zvýšených teplot: tvorba Co ostrůvků.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F08%3APU75111" target="_blank" >RIV/00216305:26210/08:PU75111 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Morphology of cobalt layers on native SiO2 surfaces at elevated temperatures: formation of Co islands

Popis výsledku v původním jazyce

The influence of deposition and annealing temperature on the morphology of ultra-thin cobalt layers on the native SiO2 surfaces has been investigated using AFM and XPS. To provide well defined conditions, the SiO2 layer was cleaned by thermal annealing at 560 - 580 C which caused desorption of the carbonaceous compounds. The deposition of Co on the native SiO2 at room temperature leads to the formation of smooth uniform layers. Upon annealing of these layers at temperatures above 260 - 320 C Co islandsare formed. The further annealing at temperatures higher than 500 C causes a desorption of Co atoms from the oxide surface. No diffusion of Co atoms through the native SiO2 layer during the annealing has been observed up to the detection limit of XPS. The deposition at elevated temperatures in the range of 360 - 430 C leads to the formation of separate cobalt islands randomly arranged on the surface.

Název v anglickém jazyce

Morphology of cobalt layers on native SiO2 surfaces at elevated temperatures: formation of Co islands

Popis výsledku anglicky

The influence of deposition and annealing temperature on the morphology of ultra-thin cobalt layers on the native SiO2 surfaces has been investigated using AFM and XPS. To provide well defined conditions, the SiO2 layer was cleaned by thermal annealing at 560 - 580 C which caused desorption of the carbonaceous compounds. The deposition of Co on the native SiO2 at room temperature leads to the formation of smooth uniform layers. Upon annealing of these layers at temperatures above 260 - 320 C Co islandsare formed. The further annealing at temperatures higher than 500 C causes a desorption of Co atoms from the oxide surface. No diffusion of Co atoms through the native SiO2 layer during the annealing has been observed up to the detection limit of XPS. The deposition at elevated temperatures in the range of 360 - 430 C leads to the formation of separate cobalt islands randomly arranged on the surface.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Surface Science

ISSN

0039-6028

e-ISSN

—

Svazek periodika

602

Číslo periodika v rámci svazku

15

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—