Synthesis of graphene on Co/SiC structure
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F13%3A43896494" target="_blank" >RIV/60461373:22310/13:43896494 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/13:00436933
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1320-1" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1320-1</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1320-1" target="_blank" >10.1007/s10854-013-1320-1</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Synthesis of graphene on Co/SiC structure
Popis výsledku v původním jazyce
Bi-layer graphene sheets have been prepared on the basis of a reaction of cobalt with silicon carbide at temperatures around 1,000 A degrees C. This is a type of viable low temperature graphene synthesis. Preparation of graphene was carried out with various thicknesses of the Co layer deposited onto the SiC surface and parameters of the annealing process (temperature, annealing time) were varied. Number of carbon mono-layers in the prepared graphene and its crystallinity were determined from the resultsof Raman spectroscopy. The best results have been obtained for a structure with Cobalt layer of 300 nm thickness, annealed at 1,080 A degrees C for the period of 120 s. When using shorter annealing times, significantly non-homogenous reaction of Co withSiC has been observed, forming two different phases on the surface.
Název v anglickém jazyce
Synthesis of graphene on Co/SiC structure
Popis výsledku anglicky
Bi-layer graphene sheets have been prepared on the basis of a reaction of cobalt with silicon carbide at temperatures around 1,000 A degrees C. This is a type of viable low temperature graphene synthesis. Preparation of graphene was carried out with various thicknesses of the Co layer deposited onto the SiC surface and parameters of the annealing process (temperature, annealing time) were varied. Number of carbon mono-layers in the prepared graphene and its crystallinity were determined from the resultsof Raman spectroscopy. The best results have been obtained for a structure with Cobalt layer of 300 nm thickness, annealed at 1,080 A degrees C for the period of 120 s. When using shorter annealing times, significantly non-homogenous reaction of Co withSiC has been observed, forming two different phases on the surface.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
ISSN
0957-4522
e-ISSN
—
Svazek periodika
24
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
3793-3799
Kód UT WoS článku
000324325800027
EID výsledku v databázi Scopus
—