Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Synthesis of graphene on Co/SiC structure

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F13%3A43896494" target="_blank" >RIV/60461373:22310/13:43896494 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/13:00436933

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1320-1" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1320-1</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1320-1" target="_blank" >10.1007/s10854-013-1320-1</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Synthesis of graphene on Co/SiC structure

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Bi-layer graphene sheets have been prepared on the basis of a reaction of cobalt with silicon carbide at temperatures around 1,000 A degrees C. This is a type of viable low temperature graphene synthesis. Preparation of graphene was carried out with various thicknesses of the Co layer deposited onto the SiC surface and parameters of the annealing process (temperature, annealing time) were varied. Number of carbon mono-layers in the prepared graphene and its crystallinity were determined from the resultsof Raman spectroscopy. The best results have been obtained for a structure with Cobalt layer of 300 nm thickness, annealed at 1,080 A degrees C for the period of 120 s. When using shorter annealing times, significantly non-homogenous reaction of Co withSiC has been observed, forming two different phases on the surface.

  • Název v anglickém jazyce

    Synthesis of graphene on Co/SiC structure

  • Popis výsledku anglicky

    Bi-layer graphene sheets have been prepared on the basis of a reaction of cobalt with silicon carbide at temperatures around 1,000 A degrees C. This is a type of viable low temperature graphene synthesis. Preparation of graphene was carried out with various thicknesses of the Co layer deposited onto the SiC surface and parameters of the annealing process (temperature, annealing time) were varied. Number of carbon mono-layers in the prepared graphene and its crystallinity were determined from the resultsof Raman spectroscopy. The best results have been obtained for a structure with Cobalt layer of 300 nm thickness, annealed at 1,080 A degrees C for the period of 120 s. When using shorter annealing times, significantly non-homogenous reaction of Co withSiC has been observed, forming two different phases on the surface.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS

  • ISSN

    0957-4522

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    24

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    3793-3799

  • Kód UT WoS článku

    000324325800027

  • EID výsledku v databázi Scopus