Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Graphene preparation by annealing of Co/SiC structure

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00448161" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00448161 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60461373:22310/14:43897940

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.09.104" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.09.104</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.09.104" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2014.09.104</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Graphene preparation by annealing of Co/SiC structure

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work is focused on graphene preparation using the segregation method with Co/SiC structure, the method being a viable low temperature synthesis approach. The graphene preparation was carried out with the cobalt layer of 300 nm thickness; the technological process is based on an optimization of parameters (temperature and duration) of annealing which is a crucial step of the synthesis. 850 °C as an annealing temperature and 10 s as an annealing duration have been found to be the most optimal. The prepared graphene is close to the bi-layer graphene structure with its parameters. Structural parameters of the prepared graphene were determined from spectra obtained by Raman spectroscopy.

  • Název v anglickém jazyce

    Graphene preparation by annealing of Co/SiC structure

  • Popis výsledku anglicky

    This work is focused on graphene preparation using the segregation method with Co/SiC structure, the method being a viable low temperature synthesis approach. The graphene preparation was carried out with the cobalt layer of 300 nm thickness; the technological process is based on an optimization of parameters (temperature and duration) of annealing which is a crucial step of the synthesis. 850 °C as an annealing temperature and 10 s as an annealing duration have been found to be the most optimal. The prepared graphene is close to the bi-layer graphene structure with its parameters. Structural parameters of the prepared graphene were determined from spectra obtained by Raman spectroscopy.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Surface Science

  • ISSN

    0169-4332

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    320

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Nov

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    544-551

  • Kód UT WoS článku

    000345399900072

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84919346725