Graphene preparation by annealing of Co/SiC structure
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00448161" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00448161 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60461373:22310/14:43897940
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.09.104" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.09.104</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.09.104" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2014.09.104</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Graphene preparation by annealing of Co/SiC structure
Popis výsledku v původním jazyce
This work is focused on graphene preparation using the segregation method with Co/SiC structure, the method being a viable low temperature synthesis approach. The graphene preparation was carried out with the cobalt layer of 300 nm thickness; the technological process is based on an optimization of parameters (temperature and duration) of annealing which is a crucial step of the synthesis. 850 °C as an annealing temperature and 10 s as an annealing duration have been found to be the most optimal. The prepared graphene is close to the bi-layer graphene structure with its parameters. Structural parameters of the prepared graphene were determined from spectra obtained by Raman spectroscopy.
Název v anglickém jazyce
Graphene preparation by annealing of Co/SiC structure
Popis výsledku anglicky
This work is focused on graphene preparation using the segregation method with Co/SiC structure, the method being a viable low temperature synthesis approach. The graphene preparation was carried out with the cobalt layer of 300 nm thickness; the technological process is based on an optimization of parameters (temperature and duration) of annealing which is a crucial step of the synthesis. 850 °C as an annealing temperature and 10 s as an annealing duration have been found to be the most optimal. The prepared graphene is close to the bi-layer graphene structure with its parameters. Structural parameters of the prepared graphene were determined from spectra obtained by Raman spectroscopy.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
320
Číslo periodika v rámci svazku
Nov
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
544-551
Kód UT WoS článku
000345399900072
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84919346725