Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F15%3A43900940" target="_blank" >RIV/60461373:22310/15:43900940 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate

Popis výsledku v původním jazyce

This work is focused on graphene preparation using the transfer-free method from a metal/C/SiO2/Si structure. We used nickel and cobalt as the metal layer. The technological process is based on an optimization of metal thickness and annealing parameters (temperature and duration). We successfully prepared bi-layer graphene.

Název v anglickém jazyce

Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate

Popis výsledku anglicky

This work is focused on graphene preparation using the transfer-free method from a metal/C/SiO2/Si structure. We used nickel and cobalt as the metal layer. The technological process is based on an optimization of metal thickness and annealing parameters (temperature and duration). We successfully prepared bi-layer graphene.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů