Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F16%3A43902646" target="_blank" >RIV/60461373:22310/16:43902646 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2016/Cislo1_2016/r10c1c8.pdf" target="_blank" >http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2016/Cislo1_2016/r10c1c8.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate
Popis výsledku v původním jazyce
This work is focused on graphene preparation using the transfer-free method from a metal/C/SiO2/Si structure. We used nickel and cobalt as the metal layer. The technological process of graphene preparation is based on an optimization of metal thickness and annealing parameters (temperature and duration). We successfully prepared bi-layer graphene.
Název v anglickém jazyce
Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate
Popis výsledku anglicky
This work is focused on graphene preparation using the transfer-free method from a metal/C/SiO2/Si structure. We used nickel and cobalt as the metal layer. The technological process of graphene preparation is based on an optimization of metal thickness and annealing parameters (temperature and duration). We successfully prepared bi-layer graphene.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)