Defect Engineering During Czochralski Crystal Growth and Silicon Wafer Manufacturing
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F12%3APU96660" target="_blank" >RIV/00216305:26210/12:PU96660 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/26821532:_____/12:#0000041
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Defect Engineering During Czochralski Crystal Growth and Silicon Wafer Manufacturing
Popis výsledku v původním jazyce
The chapter on the growth of single crystals of Czochralski silicon and formation and control of crystal defects in silicon. The book deals with bulk crystal growth and thin film preparation.
Název v anglickém jazyce
Defect Engineering During Czochralski Crystal Growth and Silicon Wafer Manufacturing
Popis výsledku anglicky
The chapter on the growth of single crystals of Czochralski silicon and formation and control of crystal defects in silicon. The book deals with bulk crystal growth and thin film preparation.
Klasifikace
Druh
C - Kapitola v odborné knize
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/FR-TI3%2F031" target="_blank" >FR-TI3/031: Výzkum a vývoj technologií výroby nových typů křemíkových desek</a><br>
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název knihy nebo sborníku
Modern Aspects of Bulk Crystal and Thin Film Preparation
ISBN
978-953-307-610-2
Počet stran výsledku
28
Strana od-do
43-70
Počet stran knihy
608
Název nakladatele
INTECH
Místo vydání
Rieka, Croatia
Kód UT WoS kapitoly
—