Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000006" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000006 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku
Popis výsledku v původním jazyce
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku (SiC) - Physical Vapor Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm (tj. pro výrobu substrátů průměru 150 mm), rychlost růstu min. 0.1 mm/hod. Objemové vlastnosti krystalu vhodné pro polovodičové aplikace (tj. udržení parametrů zárodečné desky, bez dodatečných defektů).
Název v anglickém jazyce
Qualified technology for growth of bulk crystals of silicon carbide
Popis výsledku anglicky
Qualified technology of growth of bulk crystals of silicon carbide (SiC) - Physical Vapor Transport (PVT). Crystal length min. 1 cm, crystal diameter> 150 mm (for the production of substrates with a diameter of 150 mm), growth rate min. 0.1 mm / hour Crystal volume properties suitable for semiconductor applications (maintaining the parameters of the seed waifer, without additional defects).

Projekt
<a href="/cs/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH03020005-V5
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku (SiC) - Physical Vapor Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm (tj. pro výrobu substrátů průměru 150 mm), rychlost růstu min. 0.1 mm/hod. Objemové vlastnosti krystalu vhodné pro polovodičové aplikace (tj. udržení parametrů zárodečné desky, bez dodatečných defektů).
Ekonomické parametry
Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm, cena krystalu <1000$/mm.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)