Krystal karbidu křemíku

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000005" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000005 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Krystal karbidu křemíku
Popis výsledku v původním jazyce
Objemový krystal karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou Physical Vapour Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu min. 150 mm (tj. pro výrobu desek průměru 150 mm). Splnění specifikace pro polovodičové aplikace (bez objemových defektů) - splnění klíčového požadavku ověřeno komplexním měřením na deskách z krystalu (analýza povrchu, selektivní leptání pro zviditelňování defektů, analýzy vnitřního pnutí, mikroskopické analýzy) a potvrzena aplikačními testy (epitaxní růst).
Název v anglickém jazyce
Silicon Carbide Crystal
Popis výsledku anglicky
Bulk crystal of silicon carbide (SiC) produced by Physical Vapor Transport (PVT). Crystal length min. 1 cm, crystal diameter min. 150 mm (for the production of wafers with a diameter of 150 mm). Fulfillment of the specification for semiconductor applications (without volume defects) - fulfillment of the key requirement verified by complex measurements on SiC wafers (surface analysis, selective etching for delineation of defects, internal stress analysis, microscopic analysis) and confirmed by application tests (epitaxial growth).

Projekt
<a href="/cs/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH03020005-V4
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Objemový krystal karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou Physical Vapour Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu min. 150 mm (tj. pro výrobu desek průměru 150 mm). Splnění specifikace pro polovodičové aplikace (bez objemových defektů) - splnění klíčového požadavku ověřeno komplexním měřením na deskách z krystalu (analýza povrchu, selektivní leptání pro zviditelňování defektů, analýzy vnitřního pnutí, mikroskopické analýzy) a potvrzena aplikačními testy (epitaxní růst).
Ekonomické parametry
Délka krystalu >1 cm, cena <1000$/mm (pro průměr krystalu >150 mm)
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)