Deska karbidu křemíku průměru 200 mm s epitaxní vrstvou

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F24%3AN0000002" target="_blank" >RIV/26821532:_____/24:N0000002 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Deska karbidu křemíku průměru 200 mm s epitaxní vrstvou
Popis výsledku v původním jazyce
Deska karbidu křemíku (SiC, krystalový polytyp 4H) průměru 200 mm s epitaxní vrstvou pro MOSFET aplikace (tloušťka 6 - 20 um). Základním předpokladem je vysoká predikovaná výtěžnost a z hlediska "killer" defektů = defekty, které znehodnotí polovodičovou součástku a způsobí dramatický pokles výtěžností na úroveň nezpůsobilého procesu a "non-killer" defektů = defekty, které při nízkých koncentracích měřitelně neovlivňují následné procesy výroby MOSFET.
Název v anglickém jazyce
200 mm Silicon Carbide Wafer with Epitaxial Layer
Popis výsledku anglicky
Silicon carbide (SiC, crystal polytype 4H) wafer with a diameter of 200 mm with an epitaxial layer for MOSFET applications (thickness 6 - 20 µm). The basic assumption is a high predicted yield and in terms of "killer" defects = defects that will degrade the semiconductor device and cause a dramatic drop in yields to the level of an unfit process and "non-killer" defects = defects that at low concentrations do not measurably affect subsequent MOSFET manufacturing processes.

Projekt
<a href="/cs/project/FW06010030" target="_blank" >FW06010030: Výzkum a vývoj polovodičových struktur karbidu křemíku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
FW06010030-V3
Číselná identifikace
20253313042
Technické parametry
Deska karbidu křemíku (SiC, krystalový polytyp 4H) průměru 200 mm s epitaxní vrstvou pro MOSFET aplikace (tloušťka 6 - 20 um), vysoká predikovaná výtěžnost a z hlediska "killer" defektů = defekty, které znehodnotí polovodičovou součástku a způsobí dramatický pokles výtěžností na úroveň nezpůsobilého procesu a "non-killer" defektů = defekty, které při nízkých koncentracích měřitelně neovlivňují následné procesy výroby MOSFET. Plná specifikace: PROTOTYPE FW06010030-V3; FINAL PRODUCT SPECIFICATION FOR 1200V SIC EPITAXY 8SMPE120XAXX-CZ2-EPI IN CZ2.
Ekonomické parametry
Jednotkové výrobní náklady <1500 USD (leštěná deska průměru 200 mm s epitaxní vrstvou pro MOSFET - výkonové aplikace),
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
www.onsemi.com

Podobné výsledky(10)