RTS šum v MOSFETs struktůře
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU51329" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU51329 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
RTS noise in submicron MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
In the present paper, Im show processing of RTS noise in submicron MOSFET. The measure data from MOSFET tranzistor we process in program Easy Plot and Matlab and we compare this two method. From shape of curve we obtain time t1, t2 and t0. This measure and elaborated data help us with be under way near physical process in MOSFET tranzistor.
Název v anglickém jazyce
RTS noise in submicron MOSFETs
Popis výsledku anglicky
In the present paper, Im show processing of RTS noise in submicron MOSFET. The measure data from MOSFET tranzistor we process in program Easy Plot and Matlab and we compare this two method. From shape of curve we obtain time t1, t2 and t0. This measure and elaborated data help us with be under way near physical process in MOSFET tranzistor.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
EDS '05 imaps cs international conference proceedings
ISBN
80-214-2990-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
189-193
Název nakladatele
NEUVEDEN
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
15. 9. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—