RTS šum v MOSFET struktůře

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU48700" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU48700 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

RTS noise in submicron MOSFET

Popis výsledku v původním jazyce

In the present paper, Im show processing of RTS noise in submicron MOSFET. The measure data from MOSFET tranzistor we process in program Easy Plot. From shape of curve we obtain time t1, t2 and t0. From measure date make programm Easy Plot histogram, RTSnoise spectra density and FFT. This measure and elaborated data help us with be under way near physical process in MOSFET tranzistor.

Název v anglickém jazyce

RTS noise in submicron MOSFET

Popis výsledku anglicky

In the present paper, Im show processing of RTS noise in submicron MOSFET. The measure data from MOSFET tranzistor we process in program Easy Plot. From shape of curve we obtain time t1, t2 and t0. From measure date make programm Easy Plot histogram, RTSnoise spectra density and FFT. This measure and elaborated data help us with be under way near physical process in MOSFET tranzistor.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

New trends in physics

ISBN

80-7355024-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

12-15

Název nakladatele

NEUVEDEN

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

11. 11. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—