Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F23%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/23:N0000001 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering

Popis výsledku v původním jazyce

Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering je komplexní technologický postup výroby leštěných desek karbidu křemíku pro polovodičové aplikace (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Vstupním materiálem je monokrystal 4-H SiC s požadovanými parametry pro polovodičové aplikace. SiC Wafering pak zahrnuje dílčí procesy (ve zjednodušeném popisu): rozčlenění krystalu na desky (laserovou technologií KABRA), popis desek laserem pro jejich další adresnou sledovatelnost, zaoblení desek, broušení desek, leštění, mytí a měření parametrů desek (finální desky i mezi jednotlivými operacemi), pokročilé metody charakterizace desek (FTIR, x-ray, AFM). Výstupem technologie je leštěná deska karbidu křemíku průměru 150 mm ve specifikaci pro MOSFET aplikace.

Název v anglickém jazyce

Manufacturing technology SiC/MOSFET Wafering

Popis výsledku anglicky

Manufacturing technology SiC/MOSFET Wafering is a complex technological procedure for the production of polished silicon carbide wafers for semiconductor applications (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). The input material is a 4-H SiC single crystal with the required parameters for semiconductor applications. SiC Wafering then includes sub-processes (in a simplified description): split of the crystal into wafers (with KABRA laser technology), laser marking of the wafers for their further address traceability, edge grinding of the wafers, grinding of the wafers, polishing, cleaning and measurement of the wafer parameters (final control and between individual processes), advanced wafer characterization methods (FTIR, x-ray, AFM). The output of the technology is a polished silicon carbide wafer with a diameter of 150 mm in specification for MOSFET applications.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

<a href="/cs/project/EG20_321%2F0024782" target="_blank" >EG20_321/0024782: Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

N06HH

Číselná identifikace

3313034

Technické parametry

Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering je komplexní technologický postup výroby leštěných desek karbidu křemíku pro polovodičové aplikace (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Vstupním materiálem je monokrystal 4-H SiC s požadovanými parametry pro polovodičové aplikace. SiC Wafering pak zahrnuje dílčí procesy (ve zjednodušeném popisu): rozčlenění krystalu na desky (laserovou technologií KABRA), popis desek laserem pro jejich další adresnou sledovatelnost, zaoblení desek, broušení desek, leštění, mytí a měření parametrů desek (finální desky i mezi jednotlivými operacemi), pokročilé metody charakterizace desek (FTIR, x-ray, AFM). Výstupem technologie je leštěná deska karbidu křemíku průměru 150 mm ve specifikaci pro MOSFET aplikace. Klíčové indikátory: referenční výrobní cena leštěné desky SiC, průměr 150 mm: Jednotková cena <900 USD, výtěžnost technologického procesu (tj. počet desek v cílové specifikaci v poměru k počtu teoretickému počtu desek, které je možné vyrobit ze vstupního krystalu): >80%, kapacita KABRA procesu >40 desek/den (v ověřená způsobilost pro MOSFET aplikace.

Ekonomické parametry

Jednotková cena <900 USD, výtěžnost technologického procesu (tj. počet desek v cílové specifikaci v poměru k počtu teoretickému počtu desek, které je možné vyrobit ze vstupního krystalu): >80%, kapacita KABRA procesu >40 desek/den (v ověřená způsobilost pro MOSFET aplikace.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

www.onsemi.com