Technologie výroby substrátů karbidu křemíku

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000008" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000008 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku
Popis výsledku v původním jazyce
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku: rozčlenění krystalu (řezání/split), úprava povrchů desek (broušení, leštění, leptání, mytí) a metody měření parametrů substrátu (geometrických parametrů desky, kvality povrchu, elektrického měrného odporu, ověření akceptovatelné koncentrace defektů).
Název v anglickém jazyce
Manufacturing technology for silicon carbide subsrates
Popis výsledku anglicky
Silicon carbide substrate manufacturing technology: crystal slicing/wafer split, wafer surface treatment (grinding, polishing, etching, cleaning) and methods of measuring substrate parameters (geometric parameters of the wafer, surface quality, electrical resistivity, verification of acceptable defects concentration).

Projekt
<a href="/cs/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH03020005-V7
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Kvalifikace vlastní výrobní technologie proběhla ve třech úrovních: Výběr technologických zařízení, výzkumně-vývojové testy, instalace a akceptace zařízení - vytvoření poloprovozu (CPR02627; 03473 a 03474). Kvalifikace výrobní technologie "SiC Wafering" pro výrobu SiC desek pro následnou kvalifikaci produktu u zákazníka (výrobní linky v South Portland/USA a Bucheonu/Korea). Kvalifikace produktu - leštěné SiC desky a s tím, spojené uzavření kvalifikace výrobní linky a její převod do výroby od ledna 2021. Kompletní výrobní flow: vstupní krystal-řezání/split na desky, broušení, broušení okraje, popis desek laserem, leštění, CMP, mytí, metrologie/inspekce, balení.
Ekonomické parametry
Realizovaná investice do poloprovozu: 16 mil. $, kapacita 500 desek/týden.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)