Final Product Specification for Thick Polished Wafers W7584B00 for GaN/AlN Epitaxial Growth

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000091" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000091 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Final Product Specification for Thick Polished Wafers W7584B00 for GaN/AlN Epitaxial Growth
Popis výsledku v původním jazyce
Specification of the substrate for the growth of GaN / AlN layers and functional sample substrate (for ideal growth nucleation layer) of silicon wafer with 150 mm in diameter, the optimized: thickness due to the deflection of the wafer during depositionand after deposition, variability of wafer thickness, global and local flatness, micro-roughness surface (RMS ), method of treatment of the wafer edge, crystallographic orientation, the dopant and the dopant concentration, the light scattering defects onthe surface.
Název v anglickém jazyce
Final Product Specification for Thick Polished Wafers W7584B00 for GaN/AlN Epitaxial Growth
Popis výsledku anglicky
Specification of the substrate for the growth of GaN / AlN layers and functional sample substrate (for ideal growth nucleation layer) of silicon wafer with 150 mm in diameter, the optimized: thickness due to the deflection of the wafer during depositionand after deposition, variability of wafer thickness, global and local flatness, micro-roughness surface (RMS ), method of treatment of the wafer edge, crystallographic orientation, the dopant and the dopant concentration, the light scattering defects onthe surface.

Projekt
<a href="/cs/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH01011284-2015V004 Thick Polished Wafers
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Polished wafer, diameter 150,0 +/- 0,2 mm, thickness 1000 +/- 15 um, surface crystal orientation On <111> 0°? 0.5°, site flatness <1.5 ?m SFQD (SFPD) - Site Size 20 x 20 mm, warp < 20 um, bow < 10 um, flatness < 3.0 ?m GTIR, boron doped, electrical resistivity 5-50 ohmcm, oxygen content 26.0 ? 35.0 ppma per SEMI MF1188. Výsledek využije ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. (IČ 26821532) ve vlastní výrobě. Odpovědná osoba: Michal Lorenc, ON SEMICONDUCTOR, 1. máje 2230, 7561 61 Rožnov p.R., +420 571 754 507, michal.lorenc@onsemi.com.
Ekonomické parametry
Jednotková cena 20 USD/deska. Aplikační potenciál (vlastní proces MOCVD, 2016): min. 100 desek/měsíc.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)