DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F12%3A%230000035" target="_blank" >RIV/26821532:_____/12:#0000035 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER
Popis výsledku v původním jazyce
Prototype (sample) of Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator (BESOI) wafer. BESOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 625 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, epitaxial device layer thickness 1.0 um, device layer thickness variability +/- 0.2 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.
Název v anglickém jazyce
DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER
Popis výsledku anglicky
Prototype (sample) of Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator (BESOI) wafer. BESOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 625 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, epitaxial device layer thickness 1.0 um, device layer thickness variability +/- 0.2 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.

Projekt
<a href="/cs/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
V001/TA01010078-W660S01 SOI /1?m
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Diameter 150 mm, CZSi:P <0.002 ohmcm (100), THK 625 um, BOX 620 nm, EPI DL THK 1.0 um +/- 0.2 um. .
Ekonomické parametry
Wafer Costs < 100 USD
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)