Pokročilá BESOI technologie
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000067" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000067 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Pokročilá BESOI technologie
Popis výsledku v původním jazyce
Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator ? je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s ?etch-stop?efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstraněníetch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 ? 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um.
Název v anglickém jazyce
Advanced BESOI Technology
Popis výsledku anglicky
Advanced BESOI Technology - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator ? is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Epitaxial growth of specific layers with ?etch-stop? effect, 4) Proper surface treatment of epitaxial wafer, wafers bonding and bonded pairs low-temperature annealing, 5) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 6) Grinding and polishing of SOI wafer, 7) Selectiveetching to etch-stop layer, removal of etch-stop layer, 8) Chemical-mechanical planarization (CMP) of BESOI device layer, 9) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 ? 2000 nm and device layer thickness > 1 um with low radial thickness variability +/- 0.1 um.
Klasifikace
Druh
Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
BESOI-CZ2-ZKZ13/103
Číselná identifikace
—
Technické parametry
DEVICE LAYER > 1 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.1um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE EPITAXNÍ DESKY PRO POLOVODODIČOVÉ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
Ekonomické parametry
JEDNOTKOVÁ CENA 100 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 1 tis. desek.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
25739336
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—