Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pokročilá BGSOI technologie

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000066" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000066 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Pokročilá BGSOI technologie

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator ? je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 ? 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 ? 120 um.

  • Název v anglickém jazyce

    Advanced BGSOI Technology

  • Popis výsledku anglicky

    Advanced BGSOI Technology - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator ? is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Wafers bonding and bonded pairs annealing, 4) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 5) Grinding and polishing of SOI wafer, 6) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 ? 2000 nm and device layer thickness of 2 ? 120 um.

Klasifikace

  • Druh

    Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    BGSOI-CZ2-ZKZ12/59

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    DEVICE LAYER 2-120 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.5um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE LEŠTĚNĚ DESKY PRO POLOVODODIČOVĚ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.

  • Ekonomické parametry

    JEDNOTKOVÁ CENA 60 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 5 tis. Desek.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    26821532

  • Název vlastníka

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, S.R.O.

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem