Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

BGSOI WAFER FOR ULTRA FS IGBT

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000069" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000069 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    BGSOI WAFER FOR ULTRA FS IGBT

  • Popis výsledku v původním jazyce

    BGSOI (BOND and GRIND back SILICON-ON-INSULATOR) wafer for Ultra FS IGBT technology. Polished BGSOI wafer with diameter of 150 mm consists from thick device layer (> 100 um), thin BOX (BURIED OXIDE) layer (<200 nm) and silicon substrate.

  • Název v anglickém jazyce

    BGSOI WAFER FOR ULTRA FS IGBT

  • Popis výsledku anglicky

    BGSOI (BOND and GRIND back SILICON-ON-INSULATOR) wafer for Ultra FS IGBT technology. Polished BGSOI wafer with diameter of 150 mm consists from thick device layer (> 100 um), thin BOX (BURIED OXIDE) layer (<200 nm) and silicon substrate.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    W760S00

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    Wafer diameter: 150+/-0.2 mm, wafer thickness: 625 +/-10 um, WARP max. 50 um, BOW max. 40 um, TTV max. 4 um, SOI layer thickness 105 +/- 1 um, BOX 130 - 140 nm. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenčnísmlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.

  • Ekonomické parametry

    Jednotková cena 80 USD/deska. Pčekávaný objem výroby min. 5000 desek/rok.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    26821532

  • Název vlastníka

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem