DEMO SAMPLE (PROTOTYPE ) ? V001/TA01010078 - W750S01/S00 SOI Wafers / 3 ?m

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F12%3A%230000036" target="_blank" >RIV/26821532:_____/12:#0000036 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
DEMO SAMPLE (PROTOTYPE ) ? V001/TA01010078 - W750S01/S00 SOI Wafers / 3 ?m
Popis výsledku v původním jazyce
Prototype (sample) of Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator (BGSOI) wafer. BGSOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate sligthly doped by Boron (3-13 ohmcm), thickness 625 or 525 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, defect-free device layer thickness 3+/- 0.3 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.
Název v anglickém jazyce
DEMO SAMPLE (PROTOTYPE ) ? V001/TA01010078 - W750S01/S00 SOI Wafers / 3 ?m
Popis výsledku anglicky
Prototype (sample) of Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator (BGSOI) wafer. BGSOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate sligthly doped by Boron (3-13 ohmcm), thickness 625 or 525 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, defect-free device layer thickness 3+/- 0.3 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.

Projekt
<a href="/cs/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
V001/TA01010078-W750S01/S00
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Diameter 150 mm, substrate CZSi:B 3-13 ohmcm, (100), THK 625 or 525 um, BOX 620 nm, defect-free DL THK 3 +/- 0.3 um.
Ekonomické parametry
Wafer costs < 60 USD.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)