Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000017" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000017 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/26821532:_____/17:N0000007
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace
Popis výsledku v původním jazyce
Specifikace Si desky pro heteroepitaxní aplikace a funkční vzorek leštěného substrátu. Průměr leštěné desky 200+/0,2 mm, tloušťka 0,75 - 1,25 mm (z ekonomických i technických důvodů je přínosné dosažení minimální tloušťky substrátu, ale substrát zároveň musí mít dostatečné mechanické vlastnosti pro heteroepitaxní růst). Krystalografická orientace <111>, CZ Si, dopant B, měrný elektrický odpor > 1 ohm.cm.
Název v anglickém jazyce
200 mm Silicon Substrate for Heteroepitaxial Applications
Popis výsledku anglicky
Specifications of Si wafers for heteroepitaxial applications and a functional sample of a polished substrate. Diameter of polished wafer 200 + / 0.2 mm, thickness 0.750 - 1.25 mm (for economic and technical reasons it is beneficial to achieve the minimum thickness of the substrate, but the substrate must also have sufficient mechanical properties for heteroepitaxial growth). Crystallographic orientation <111>, CZ Si, dopant B, specific electrical resistance> 1 ohm.cm.

Projekt
<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH02010014-V5
Číselná identifikace
—
Technické parametry
TH02010014-2017V005 - Funkční vzorky silně (a slabě) legovaných Si substrátů průměru 200 mm pro GaN MOCVD. DAR18413919 (DAR18413917) - specifikace desky v souladu s 52MON04604D, General Specification for Polished and Epitaxial Silicon Wafers, řízený dokument id 52AON81953G (52AON81952G), specifikace id W8586B00 (W8583B00), verze O schválena v korporátním systemu AGILE 1/2018. Leštěný křemíkový substrát, 200.0 ± 0.1 mm; Wafer Thickness 1150 ± 15 um; Surface Orientation On <111> 0°± 0.5°; CZ Si:B; <111>; Resistivity/Radial Variation max. 0.003 Ohm.cm (5.0 – 50.0 Ohm.cm)/ max. 10% per SEMI MF81, Plan B @ 6mm; Oxygen Concentration/Oxygen Radial Variation 26.0 – 35.0 ppma per SEMI MF1188, Plan C @ 6mm; Thickness Variation (TTV) max. 6.0 um; Bow max. 10.0 μm; Warp max. 40.0 um; Flatness max. 3.0 μm GTIR; Site Flatness max. 1.5 μm SFQD (SFPD). Funkční vzorky podle specifikace použity ve vlastním MOCVD procesu (12/2017).
Ekonomické parametry
Cena desky <50$.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)