Výroba substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000016" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000016 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Výroba substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie
Popis výsledku v původním jazyce
Ověřená technologie výroby substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie. Deska musí splňovat všechny polovodičové standardy a navíc vyhovovat nárokům heteroepitaxního procesu (především z hlediska tloušťky, zpracování okraje a zadní strany). Ověřená technologie (kvalifikace nového procesu) zahrnuje širší skupinu desek orientace <111> s využitím možného legování B, As, P a Sb v kompletním spektru koncentrací.
Název v anglickém jazyce
Manufacturing of 200 mm substrates for heteroepitaxial semiconductor technologies
Popis výsledku anglicky
Qualified technology for the production of 200 mm diameter substrates for heteroepitaxial semiconductor technologies. The wafers must meet all semiconductor standards and, in addition, meet the requirements of the heteroepitaxial process (especially in terms of thickness, edge and back processing). The qualified technology includes a wider group of orientation <111> with the use of possible doping by B, As, P and Sb in the complete spectrum of concentrations.

Projekt
<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH02010014-V7
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Výsledkem VaV Si substrátů o průměru 200 mm pro růst nitridových struktur je technologie výroby pro substrát W8583B00. Byl zvolen slabě legovaný materiál (B-doped, 5-50 Ω.cm) a tloušťka 950 μm s ohledem na výrobní postup desek, kdy má deska před leštěním tloušťku o několik desítek μm vyšší. Protože řada výrobních a metrologických zařízení je limitována tloušťkou 1000 μm, byla jako cílová tloušťka zvolena 950±15 μm. Požadavky na geometrické parametry jsou přísnější, než u standardních křemíkových desek (|Bow| ≤ 15 μm, Warp ≤ 40 μm), stejně jako u 150 mm substrátů. Výrobní postup produktu W8583B00 byl implementován do interního systému řízení výroby „Promis“, id 020 F-C-SPECETCH_8-011.02. Proces byl kvalifikován s označením CABpro_19_02_W8583B00.
Ekonomické parametry
Cena Si desky <60$ (průměr 200 mm)
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)