Funkční vzorek desky průměru 200 mm s funkční heteroepitaxní strukturou

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000013" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000013 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Funkční vzorek desky průměru 200 mm s funkční heteroepitaxní strukturou
Popis výsledku v původním jazyce
Funkční vzorky desek průměru 200 mm s nitridovou heteroepitaxní strukturou pro výrobu e-mode HEMT tranzistoru - 2 procesní MOCVD várky (č. 20190304-02 a 20190306-01), 4 funkční vzorky se standartní optimalizovanou strukturou. 3 desky ověřeny v IMEC (procesní várka P192011) kvalifikovanou technologií výroby a zpracování 200 mm.
Název v anglickém jazyce
Functional sample of 200 mm wafer with functional hteroepitaxial structure
Popis výsledku anglicky
Functional samples of 200 mm wafers with nitride heteroepitaxial structure for the production of e-mode HEMT transistor - 2 process MOCVD batches (No. 20190304-02 and 20190306-01), 4 functional samples with standard optimized structure. 3 wafers validated in IMEC (process batch P192011) by qualified production and processing 200 mm technology.

Projekt
<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH02010014-V18
Číselná identifikace
—
Technické parametry
200 mm deska s nitridovou strukturou pro e-mode HEMT tranzistory, ale také pro diody a integrované obvody založené na nitridových heterostrukturách v rozsahu napětí 200 V – 650 V. Úplná technická dokumentace k výsledku je uložena u příjemce a spolupříjemce. Shrnutí je provedeno formou technické zprávy se 4 přílohami: Tomáš Novák: TH02010014-2019V005 – FUNKČNÍ VZOREK DESKY PRŮMĚRU 200 MM S FUNKČNÍ HETEROEPITAXNÍ STRUKTUROU (FUNKČNÍ VZOREK), ON Semiconductor, Rožnov p.R., 2019, 9 str. TH02010014-2019V005-P1: Specifikace použitého 200 mm Si substrátu Siltronic TH02010014-2019V005-P2: IMEC measurement report – lot P192011 TH02010014-2019V005-P3: IMEC measurement report – lot P192011 TH02010014-2019V005-P4: IMEC measurement report – lot P192011
Ekonomické parametry
Cena desky <1000$ (průměr desky 200 mm).
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)