Vzorky nitridových struktur na alternativních substrátech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000014" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000014 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Vzorky nitridových struktur na alternativních substrátech

Popis výsledku v původním jazyce

V rámci výroby funkčních vzorků desek s nitridovými strukturami prezentujeme dva vzorky HEMT struktur na substrátech alternativních ke standardnímu křemíku. Prvním je plně interní deska GaN-on-SOI o průměru 150 mm s e-mode HEMT strukturou. Výrobní postup odpovídá vlastnímu kvalifikovanému produktu s označením W765S00. Při růstu optimalizované nitridové struktury pro e-mode HEMT bylo dosaženo vynikajících výsledků. Jako funkční vzorky prezentujeme 10 desek připravených v pěti MOCVD procesních várkách. Druhým prezentovaným funkčním vzorkem je deska s d-mode HEMT strukturou na safírovém substrátu (FZÚ).

Název v anglickém jazyce

Samples of nitride strctures on alternate substrates

Popis výsledku anglicky

As part of the production of functional samples of wafers with nitride structures, we present two groups of HEMT structures on substrates alternative to standard silicon. The first is a fully internal GaN-on-SOI wafer with a diameter of 150 mm with an e-mode HEMT structure. The production process corresponds to our own qualified product with the designation W765S00. Excellent results have been obtained with the growth of the optimized nitride structure for the e-mode HEMT. As functional samples, we present 10 wafer prepared in five MOCVD process batches. The second group presented functional sample with a d-mode HEMT structure on a sapphire substrate (FZU CAS).

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

TH02010014-V17

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Plně interně vyrobená deska GaN-on-SOI o průměru 150 mm s e-mode HEMT strukturou. Byly připraveny dvě procesní várky SOI substrátů: TJ40900.2A (25 kusů) a TJ40899.2J (22 kusů). Výrobní postup odpovídá kvalifikovanému produktu s označením W765S00 (uzavřená kvalifikace č. ZKP 17/35, SOI deska vyráběná v ON Semiconductor Czech Republic pro technologii IGBT) s úpravami popsanými ve zprávě TH02010014-2019V002. Při růstu optimalizované nitridové struktury pro e-mode HEMT bylo dosaženo vynikajících výsledků. Jako funkční vzorky prezentujeme 10 desek připravených v pěti MOCVD procesních várkách

Ekonomické parametry

Cena desky <700$ (GaN on SOI, průměr 150 mm)

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—