Ověřený funkční vzorek optimalizované součástky HEMT

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000004 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Ověřený funkční vzorek optimalizované součástky HEMT
Popis výsledku v původním jazyce
Funkční vzorek optimalizované součástky HEMT s doložením naměřených charakteristik. Samotná součástka byla vyrobena na finální epitaxní struktuře pro HEMT ve spolupráci s výrobní linkou korporace ON Semiconductor v Oudenaarde - ON/FAB3 (Belgie).
Název v anglickém jazyce
Functional sample of optimized HEMT device
Popis výsledku anglicky
Functional sample (ONCR) of optimized HEMT device with documentation of measured characteristics. The device itself was made with the final epitaxial structure for HEMT in cooperation with the ON Semiconductor production line in Oudenaarde - ON / FAB3 (Belgium).

Projekt
<a href="/cs/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
NH25683
Číselná identifikace
TH01011284-V12
Technické parametry
Funkční vzorek se strukturou využívající p++ substrát, supermřížkový typ vyrovnávací struktury s 100 periodami dvouvrstvy 5 nm AlN/ 25 nm Al0,1GaN, 700 nm C:GaN vrstvy s koncentrací uhlíku 2e19 at/cm3 a aktivní struktury skládající se z 600 nm nedopovaného GaN a 15 nm Al0,25GaN. Povrchová pasivace je tvořena multivrstvou SiN/AlN/SiN s tloušťkami 40/4/85 nm. Na substrátech s výše popsanou strukturou byly v lince FAB3 ON Semiconductor v Belgii vyrobeny d-mode HEMT součástky. Na součástkách byly vyhodnoceny kritické parametry a vyhodnocena celková výtěžnost procesu. Funkční vzorek - deska č. 21 lotu NH25683.
Ekonomické parametry
Výrobní náklady desky průměru 150 mm s HEMT strukturami < 1000 USD. Kapacita 5 desek/ běh (k465i VEECO), 2 běhy/den. Výsledek využije řešitel pro vlastní výrobu.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)