Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

1 kW LLC Resonant Converter with HV GaN Switches

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU115951" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU115951 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7149129&isnumber=7148817" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7149129&isnumber=7148817</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    1 kW LLC Resonant Converter with HV GaN Switches

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Properties of the new high voltage (650 V) GaN HEMT cascodes are presented and compared with those of their silicon counterparts. The short switching times, low Qg and Coss along with low RDSon of GaN HEMTs make them ideal for high frequency DC/DC conversion. A 1kW, 400 V to 48 V LLC resonant DC/DC converter design is described and various design constraints are discussed. Presented waveforms and efficiency measurements prove the GaN HEMTs are the devices of choice for new high efficiency and power density designs.

  • Název v anglickém jazyce

    1 kW LLC Resonant Converter with HV GaN Switches

  • Popis výsledku anglicky

    Properties of the new high voltage (650 V) GaN HEMT cascodes are presented and compared with those of their silicon counterparts. The short switching times, low Qg and Coss along with low RDSon of GaN HEMTs make them ideal for high frequency DC/DC conversion. A 1kW, 400 V to 48 V LLC resonant DC/DC converter design is described and various design constraints are discussed. Presented waveforms and efficiency measurements prove the GaN HEMTs are the devices of choice for new high efficiency and power density designs.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    PCIM Europe 2015; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of

  • ISBN

    978-3-8007-3924-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    1-7

  • Název nakladatele

    VDE

  • Místo vydání

    Norimberk, DE

  • Místo konání akce

    Nurnberg

  • Datum konání akce

    19. 5. 2015

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku