Preparation and measurement of GaN based HEMT structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00485338" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00485338 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation and measurement of GaN based HEMT structures

Popis výsledku v původním jazyce

GaN based HEMT structures exhibit better parameters than Si based transistor structures. The most important are GaN based HEMT in high power and high frequency application. Structures were grown by MOVPE in AIXTRON apparatus on Si substrates. Resistance measurement on the buffer with contact distance 20µm exhibited current ≈ 10-11. We evaluated the uniformity of heterostructure grown on silicon substrate by evaluation of transistor properties on the base of dc parameters measurement. The uniformity of heterostructure growth, especially on silicon substrate is very challenging and need to be improve if GaN-based devices have to be start in serial production.n

Název v anglickém jazyce

Preparation and measurement of GaN based HEMT structures

Popis výsledku anglicky

GaN based HEMT structures exhibit better parameters than Si based transistor structures. The most important are GaN based HEMT in high power and high frequency application. Structures were grown by MOVPE in AIXTRON apparatus on Si substrates. Resistance measurement on the buffer with contact distance 20µm exhibited current ≈ 10-11. We evaluated the uniformity of heterostructure grown on silicon substrate by evaluation of transistor properties on the base of dc parameters measurement. The uniformity of heterostructure growth, especially on silicon substrate is very challenging and need to be improve if GaN-based devices have to be start in serial production.n

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Extended Abstract Book of international conference Progress in Applied Surface - SURFINT-SREN V

ISBN

978-80-2234411-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

56-57

Název nakladatele

Comenius University

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Florence

Datum konání akce

20. 11. 2017

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—