Měření průběhu napětí Uds tranzistorů na bázi nitridu gallia ve výkonových obvodech měničů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F17%3A43932882" target="_blank" >RIV/49777513:23220/17:43932882 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Měření průběhu napětí Uds tranzistorů na bázi nitridu gallia ve výkonových obvodech měničů

Popis výsledku v původním jazyce

Článek se zabývá výběrem vhodné napěťové osciloskopické sondy pro měření průběhu napětí Uds výkonových tranzistorů GaN E-HEMT (Enhancement - High Electron Mobility Tranzistor) osazených ve výkonových obvodech měničů. Úspěšnost měření je podmíněna znalostí parametrů tranzistoru, výkonového obvodu a obvodu řídicí elektrody. Napětí ve výkonovém obvodu (dosahující až 600 V) náš výběr omezuje na vysokonapěťové pasivní sondy. Tranzistory GaN E-HEMT umožňují rychlé spínání (trvající několik ns), tomu musí odpovídat doba odezvy měřicího systému. V závěru práce je diskutována nejistota měření.

Název v anglickém jazyce

Measuring the drain-to-source voltage of transistors based on nitride gallium in power converter circuits

Popis výsledku anglicky

The article is about selecting a suitable voltage oscilloscopic probe for measuring the drain-to-source voltage of GaN E-HEMT (Enhancement – High Electron Mobility Transistor) power transistors mounted in power converter circuits. Successful measuring depends on knowing the parameters of the transistor, the power circuit and the gate circuit. Because of the voltage in the power circuit (up to 600 V) our selection is restricted to high-voltage passive probes. GaN E-HEMT transistors with fast switching (lasting several ns) and the response time of the measuring system must correspond to this. The uncertainty of measuring is discussed in the conclusion of the article.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů