AlGaN/GaN high electron mobility transistors for high temperatures
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00424328" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00424328 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
AlGaN/GaN high electron mobility transistors for high temperatures
Popis výsledku v původním jazyce
This work deals with design, technology and characterization of high temperature stable AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMTs) able to work in harsh environments. The originality of the concept proposal consists in research of new (a)progressive thin layers based on metal oxides and/or their combinations for Schottky gate electrodes, (b) metal stacks with improved surface morphology for ohmic contacts with low specific contact resistivity values and (c) possibilities of hybrid integration of the piezoelectric AlGaN/GaN material system with diamond layers in order to improve the heat dissipation in the channel of the HEMTs.
Název v anglickém jazyce
AlGaN/GaN high electron mobility transistors for high temperatures
Popis výsledku anglicky
This work deals with design, technology and characterization of high temperature stable AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMTs) able to work in harsh environments. The originality of the concept proposal consists in research of new (a)progressive thin layers based on metal oxides and/or their combinations for Schottky gate electrodes, (b) metal stacks with improved surface morphology for ohmic contacts with low specific contact resistivity values and (c) possibilities of hybrid integration of the piezoelectric AlGaN/GaN material system with diamond layers in order to improve the heat dissipation in the channel of the HEMTs.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Perspektívne vákuové metódy a technológie (Perspective vacuum methods and technologies)
ISBN
978-80-971179-2-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
55-59
Název nakladatele
Slovenská vákuová spoločnosť
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Štrbské Pleso
Datum konání akce
10. 10. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—